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Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

Name: Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5384
Price: 44.14 EUR
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Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	105W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	FP10R12W1T4B
	Height	12mm
	Length	62.8mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 105W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Series FP10R12W1T4B
	Height 12mm
	Length 62.8mm
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features

Low switching losses

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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