Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
244-5384
Référence fabricant:
FP10R12W1T4BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

105W

Number of Transistors

7

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

33.8 mm

Series

FP10R12W1T4B

Height

12mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

62.8mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features

Low switching losses

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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