Références fabricant

Infineon F475R06W1E3BOMA1 IGBT Module 1200 V

Name: Infineon F475R06W1E3BOMA1 IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5370
Price: 47.63 EUR
Availability: Discontinued

Actuellement indisponible

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Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	275W
	Number of Transistors	4
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 275W
	Number of Transistors 4
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, UPS systems, inductive heating and welding and solar applications etc.

Electrical features

Low switching losses, low inductive design

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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