Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module, 28 A 1200 V
- N° de stock RS:
- 244-5387
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5387
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 28 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Maximum Power Dissipation | 130 W | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 28 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Maximum Power Dissipation 130 W | ||
Number of Transistors 7 | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
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