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Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V

Name: Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5377
Price: 200.84 EUR
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Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	515W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	62 mm
	Series	FP100R12KT4B11
	Height	17mm
	Length	122mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 515W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 62 mm
	Series FP100R12KT4B11
	Height 17mm
	Length 122mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and servo drives etc.

Electrical features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

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