Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module, 28 A 1200 V

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N° de stock RS:
244-5385
Référence fabricant:
FP15R12W1T4BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

28 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation

130 W

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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