Références fabricant

Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

N° de stock RS:: 244-5385
Référence fabricant:: FP15R12W1T4BOMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 plateau de 24 unités)*

637,20 €

(TVA exclue)

771,12 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 19 février 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le plateau*
24 - 24	26,55 €	637,20 €
48 +	25,222 €	605,33 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 244-5385
Référence fabricant:: FP15R12W1T4BOMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	130W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	FP15R12W1T4B
	Height	12mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	33.8mm
	Length	62.8mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 130W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series FP15R12W1T4B
	Height 12mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 33.8mm
	Length 62.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP15R12W1T4BOMA1

Infineon FP15R12W1T4B Series IGBT Module, 1200V Collector-Emitter Voltage, 130W Power Dissipation - FP15R12W1T4BOMA1

This IGBT module is a power semiconductor assembly designed to switch and control high-voltage DC loads in industrial power electronics. It delivers controlled switching capability for demanding thermal and electrical environments, operating across a wide temperature span and conforming to RoHS requirements.

Features and Benefits:

• Vceo rating of 1200 V affords high-voltage switching capability
• Power dissipation up to 130 W enables sustained thermal load handling
• Gate-emitter withstand up to 20 V supports robust gate‑drive margins
• Collector-emitter saturation of 2.25 V reduces conduction losses
• Seven transistors provide multi-device switching within one package

Applications

• Suitable for industrial motor-drive inverter stages
• Used with high-voltage DC-DC conversion systems
• Ideal for power-factor correction and soft-switching stages
• Can be used for switched-mode power supplies in utilities
• Used for medium-frequency traction and industrial converters

What ambient temperatures can it reliably operate within?

It maintains operation from −40 °C up to 150 °C.

How does the module address hazardous-substance restrictions?

It is manufactured to meet RoHS compliance for restricted materials.

What are the external mounting space considerations?

The package measures 33.8 x 62.8 x 12 mm for footprint and height planning.

How many semiconductor switches are integrated in the package?

The construction includes seven individual transistors.

What conduction performance can be expected under load?

Expect a maximum collector-emitter saturation voltage of 2.25 V during conduction.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.