Infineon IKB40N65ES5ATMA1, N-Channel IGBT Single Transistor IC, 79 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface
- N° de stock RS:
- 215-6655
- Référence fabricant:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,655 € | 9,31 € |
| 20 - 48 | 3,96 € | 7,92 € |
| 50 - 98 | 3,725 € | 7,45 € |
| 100 - 198 | 3,45 € | 6,90 € |
| 200 + | 3,21 € | 6,42 € |
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- N° de stock RS:
- 215-6655
- Référence fabricant:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 79A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 79A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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