Infineon IKP28N65ES5XKSA1 Single IGBT, 38 A 650 V TO-220-3

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N° de stock RS:
242-0979
Référence fabricant:
IKP28N65ES5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

38 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

130 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single

Package Type

TO-220-3

The Infineon 650 V, 28 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package.It has a high current density, high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

High speed smooth switching device for hard & soft switching
175°C maximum junction temperature
No need for gate clamping components

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