Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
215-6648
Référence fabricant:
IKB15N65EH5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

105 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

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