Infineon IKB15N65EH5ATMA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 30 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

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N° de stock RS:
215-6648
Référence fabricant:
IKB15N65EH5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

105W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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