Infineon IKP28N65ES5XKSA1 IGBT Single Transistor IC, 28 A 650 V TO-220
- N° de stock RS:
- 242-0980
- Référence fabricant:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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| 200 + | 2,04 € | 4,08 € |
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- N° de stock RS:
- 242-0980
- Référence fabricant:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 28A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | 5th Generation | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 28A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series 5th Generation | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650 V, 28 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package.It has a high current density, high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
High speed smooth switching device for hard & soft switching
175°C maximum junction temperature
No need for gate clamping components
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