Infineon IKP28N65ES5XKSA1 IGBT Single Transistor IC, 28 A 650 V TO-220

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N° de stock RS:
242-0980
Référence fabricant:
IKP28N65ES5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

28A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Package Type

TO-220

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 ±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

5th Generation

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon 650 V, 28 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package.It has a high current density, high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

High speed smooth switching device for hard & soft switching

175°C maximum junction temperature

No need for gate clamping components

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