Infineon IKB40N65EF5ATMA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
215-6651
Référence fabricant:
IKB40N65EF5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

74 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

250 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed fast switching insulated-gate bipolar transistor with full current rated rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

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