Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 74 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

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N° de stock RS:
215-6649
Référence fabricant:
IKB40N65EF5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

74A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon high speed fast switching insulated-gate bipolar transistor with full current rated rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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