Infineon IKB40N65EF5ATMA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 517,00 €

(TVA exclue)

1 836,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,517 €1 517,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-6649
Référence fabricant:
IKB40N65EF5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

74 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

250 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed fast switching insulated-gate bipolar transistor with full current rated rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Liens connexes