Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

932,00 €

(TVA exclue)

1 128,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +0,932 €932,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-6647
Référence fabricant:
IKB15N65EH5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

105 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Liens connexes