Références fabricant

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 30 A 390 V, 3-Pin TO-252, Surface

N° de stock RS:: 165-6607
Référence fabricant:: STGD18N40LZT4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 30 A 390 V, 3-Pin TO-252, Surface

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 685,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	1,074 €	2 685,00 €

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N° de stock RS:: 165-6607
Référence fabricant:: STGD18N40LZT4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic	30A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	390V
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.7V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	16 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.6mm
	Standards/Approvals	AEC Q101
	Series	STGD18N40LZ
	Height	2.4mm
	Automotive Standard	AEC-Q101
	Energy Rating	180mJ

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic 30A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 390V
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.7V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 16 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.6mm
	Standards/Approvals AEC Q101
	Series STGD18N40LZ
	Height 2.4mm
	Automotive Standard AEC-Q101
	Energy Rating 180mJ

Pays d'origine :: CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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