Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3
- N° de stock RS:
- 215-6656
- Référence fabricant:
- IKD15N60RATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2500 + | 0,649 € | 1 622,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6656
- Référence fabricant:
- IKD15N60RATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 30 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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