Infineon IKD15N60RFATMA1 Single IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252
- N° de stock RS:
- 226-6100
- Référence fabricant:
- IKD15N60RFATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 226-6100
- Référence fabricant:
- IKD15N60RFATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | PG-TO252 | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 30 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Configuration Single | ||
Package Type PG-TO252 | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
The Infineon IKD03N60RF is higher reliability due to monolithically integrated IGBT & diode due to less thermal cycling during switching. It has smooth switching performance leading to low EMI level and its operating range is 4 to 30kHz.
Very tight parameter distribution
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit capability of 5μs
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit capability of 5μs
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