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Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

N° de stock RS:: 215-6657
Référence fabricant:: IKD15N60RATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

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N° de stock RS:: 215-6657
Référence fabricant:: IKD15N60RATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	250 W
	Package Type	PG-TO252-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 250 W
	Package Type PG-TO252-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKD15N60RATMA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

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