STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 25 A 450 V, 3-Pin TO-252, Surface

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 747,50 €

(TVA exclue)

3 325,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 27 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +1,099 €2 747,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
164-6958
Référence fabricant:
STGD20N45LZAG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

25A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

450V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

8.4μs

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.55V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

16 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

6.6mm

Series

Automotive Grade

Height

2.4mm

Width

6.2 mm

Energy Rating

300mJ

Automotive Standard

AEC-Q101

This application-specific IGBT utilizes the most Advanced PowerMESH™ technology optimized for Coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. These devices show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range. Moreover, ESD-protected logic level gate input and an integrated gate resistor means no external protection circuitry is required.

SCIS energy of 300 mJ @ TJ = 25 °C

Parts are 100% tested in SCIS

ESD gate-emitter protection

Gate-collector high voltage clamping

Logic level gate drive

Very low saturation voltage

High pulsed current capability

Gate and gate-emitter resistor

Liens connexes