onsemi FGY4L75T120SWD Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

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N° de stock RS:
277-080
Référence fabricant:
FGY4L75T120SWD
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

652 W

Configuration

Common Emitter

Package Type

TO-247-4L

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

4

Pays d'origine :
CN
The ON Semiconductor IGBT and Gen7 Diode in a TO247 4-lead package offer optimal performance with low switching and conduction losses, enabling high-efficiency operations. These components are designed for use in various applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and energy storage systems (ESS), providing reliable and efficient power management in these demanding environments.

High current capability
Smooth and optimized switching
Low switching loss
RoHS compliant

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