Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 50 A 1200 V Module, Panel

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N° de stock RS:
273-2931
Référence fabricant:
FS50R12W1T7B11BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

6

Package Type

Module

Configuration

Common Emitter

Mount Type

Panel

Channel Type

Type N

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.64V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Height

16.4mm

Length

62.8mm

Standards/Approvals

EN61140, IEC61140

Width

33.8 mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode, NTC and pressFIT contact technology.

High power density

Compact design

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