Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 Common Emitter IGBT, 50 A 1200 V, Panel Mount
- N° de stock RS:
- 273-2931
- Référence fabricant:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 24 unités)*
698,592 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 24 + | 29,108 € | 698,59 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2931
- Référence fabricant:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Channel Type | N | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Number of Transistors 6 | ||
Configuration Common Emitter | ||
Mounting Type Panel Mount | ||
Channel Type N | ||
The Infineon IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode, NTC and pressFIT contact technology.
High power density
Compact design
Compact design
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