Infineon FS50R12KT3BPSA1, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 28-Pin Module, Panel
- N° de stock RS:
- 273-2929
- Référence fabricant:
- FS50R12KT3BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2929
- Référence fabricant:
- FS50R12KT3BPSA1
- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 280W | |
| Package Type | Module | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 28 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 107.5mm | |
| Standards/Approvals | IEC61140, EN61140 | |
| Height | 20.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 280W | ||
Package Type Module | ||
Configuration Common Emitter | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 28 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 107.5mm | ||
Standards/Approvals IEC61140, EN61140 | ||
Height 20.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled HE diode and NTC.
Established Econo module concept
Integrated temperature sensor available
Low stray inductance module design
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