Infineon FP75R12N2T7BPSA2, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin EconoPIM2, Panel

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273-2927
Référence fabricant:
FP75R12N2T7BPSA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

75A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

7

Package Type

EconoPIM2

Configuration

Common Emitter

Mount Type

Panel

Channel Type

Type N

Pin Count

31

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.77V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

107.5mm

Height

20.5mm

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

The Infineon three phase PIM IGBT module with IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.

High reliability and power density

Copper base plate for optimized heat spread

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