Infineon FP50R12W2T7BPSA1 Common Emitter IGBT, 50 A 1200 V, 35-Pin, Panel Mount
- N° de stock RS:
- 273-2925
- Référence fabricant:
- FP50R12W2T7BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 46,10 € | 691,50 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2925
- Référence fabricant:
- FP50R12W2T7BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 35 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Configuration Common Emitter | ||
Mounting Type Panel Mount | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 35 | ||
The Infineon three phase input rectifier PIM (power integrated modules) IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC.
Overload operation up to 175°C
High power density
Compact design
High power density
Compact design
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