onsemi FGY4L160T120SWD, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 160 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

13,31 €

(TVA exclue)

16,11 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
En stock
  • 22 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 913,31 €
10 - 9911,98 €
100 +11,04 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
277-079
Référence fabricant:
FGY4L160T120SWD
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

160A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation Pd

1.5kW

Package Type

TO-247-4L

Configuration

Common Emitter

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5 mm

Length

15.8mm

Height

22.54mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The ON Semiconductor IGBT and Gen7 Diode in a TO247 4-lead package offer optimal performance with low switching and conduction losses, enabling high-efficiency operations. These components are designed for use in various applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and energy storage systems (ESS), providing reliable and efficient power management in these demanding environments.

High current capability

Smooth and optimized switching

Low switching loss

RoHS compliant

Liens connexes