Infineon BFP182WH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA, 12 V, 4-Pin SOT-343
- N° de stock RS:
- 273-2848
- Référence fabricant:
- BFP182WH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
1,46 €
(TVA exclue)
1,77 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 8 990 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,146 € | 1,46 € |
| 50 - 90 | 0,144 € | 1,44 € |
| 100 - 240 | 0,092 € | 0,92 € |
| 250 - 990 | 0,09 € | 0,90 € |
| 1000 + | 0,088 € | 0,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2848
- Référence fabricant:
- BFP182WH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 12V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250mW | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 12V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250mW | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 m.
Pb free package
It has application in wireless communications
Liens connexes
- Infineon BFP182WH6327XTSA1 Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP196WNH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP183WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP760H6327XTSA1 Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343