Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- N° de stock RS:
- 259-1454
- Référence fabricant:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,293 € | 7,33 € |
| 125 - 225 | 0,227 € | 5,68 € |
| 250 - 600 | 0,221 € | 5,53 € |
| 625 - 1225 | 0,215 € | 5,38 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1454
- Référence fabricant:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 80GHz | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Width | 2.1mm | |
| Series | BFP | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 80GHz | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Width 2.1mm | ||
Series BFP | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon discrete hetero-junction bipolar transistor (HBT) specifically designed for high performance 5 GHz band. It is satellite communication systems are satellite radio (SDARs, DAB), navigation systems (e.g. GPS, Glonass, Beidou, Galileo).
High gain Gms 22.5 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
OIP3 22 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
IC max +35mA
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