Infineon BFP196WNH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 12 V, 4-Pin SOT-343
- N° de stock RS:
- 216-8347
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-392
- Référence fabricant:
- BFP196WNH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 100 unités)*
10,10 €
(TVA exclue)
12,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 + | 0,101 € | 10,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 216-8347
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-392
- Référence fabricant:
- BFP196WNH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 150mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 12V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Npn Silicon Planar Epitaxial Transistor | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 700mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 7.5GHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BFP196WN | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 150mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 12V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Npn Silicon Planar Epitaxial Transistor | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 700mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 7.5GHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BFP196WN | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon NPN silicon Planar epitaxial transistor in 4-pin dual-emitter SOT343 package for low noise and low distortion wideband amplifiers. This RF transistor benefits from long-term experience in RF components and combines ease-of-use to stable volumes production, at Benchmark quality and reliability.
Pb-free
Halogen-free
Transition frequency of 7.5 GHz
Liens connexes
- Infineon RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP196WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP650FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.2 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.5 V, 4-Pin SOT-343