Infineon RF Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 12 V, 4-Pin SOT-343

Voir la catégorie
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

378,00 €

(TVA exclue)

456,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 30000,126 €378,00 €
6000 - 120000,12 €360,00 €
15000 +0,115 €345,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
216-8346
Référence fabricant:
BFP196WNH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

150mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

12V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Npn Silicon Planar Epitaxial Transistor

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

7.5GHz

Transistor Polarity

NPN

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Power Dissipation Pd

700mW

Minimum DC Current Gain hFE

70

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BFP196WN

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon NPN silicon Planar epitaxial transistor in 4-pin dual-emitter SOT343 package for low noise and low distortion wideband amplifiers. This RF transistor benefits from long-term experience in RF components and combines ease-of-use to stable volumes production, at Benchmark quality and reliability.

Pb-free

Halogen-free

Transition frequency of 7.5 GHz

Liens connexes