Infineon RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- N° de stock RS:
- 259-1453
- Référence fabricant:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1453
- Référence fabricant:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 80GHz | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | BFP | |
| Length | 2mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Maximum Transition Frequency ft 80GHz | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series BFP | ||
Length 2mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon discrete hetero-junction bipolar transistor (HBT) specifically designed for high performance 5 GHz band. It is satellite communication systems are satellite radio (SDARs, DAB), navigation systems (e.g. GPS, Glonass, Beidou, Galileo).
High gain Gms 22.5 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
OIP3 22 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
IC max +35mA
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