Infineon Bipolar Transistor, 70 mA NPN, 4 V, 4-Pin SOT-343
- N° de stock RS:
- 216-8353
- Référence fabricant:
- BFP760H6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 216-8353
- Référence fabricant:
- BFP760H6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 70mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 160 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 45GHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BFP760 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 70mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 160 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 45GHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BFP760 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BFP series is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolar transistor. It is suitable for low voltage applications like wireless communications, satellite communication systems, multimedia applications such as portable TV, CATV, FM radio and navigation systems.
High transition frequency enables best in class noise performance at high frequencies
Unique combination of high end RF performance and robustness
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