IXYS Type N-Channel MOSFET, 115 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

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N° de stock RS:
920-0735
Référence fabricant:
IXFN140N20P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

115A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

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