IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

33,02 €

(TVA exclue)

39,95 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
En stock
  • 1 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 40 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 133,02 €
2 - 432,36 €
5 +31,37 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
193-739
Numéro d'article Distrelec:
302-53-363
Référence fabricant:
IXFN140N30P
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

115A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

185nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.2mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes