IXYS Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 10 unités)*

367,91 €

(TVA exclue)

445,17 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 380 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
10 +36,791 €367,91 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-4494
Référence fabricant:
IXFN60N80P
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

250nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.42 mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes