IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

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168-4494
Référence fabricant:
IXFN60N80P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

250nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.42 mm

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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