IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

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168-4576
Référence fabricant:
IXFN200N10P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-227

Series

Polar HiPerFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

235nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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