IXYS Type N-Channel MOSFET, 86 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 10 unités)*

243,66 €

(TVA exclue)

294,83 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 26 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
10 - 1024,366 €243,66 €
20 - 4023,148 €231,48 €
50 +21,929 €219,29 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-4467
Référence fabricant:
IXFN102N30P
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

224nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes