Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 395,00 €

(TVA exclue)

1 689,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 9 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,465 €1 395,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
919-4334
Référence fabricant:
SI7288DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Height

1.07mm

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Length

5.99mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes