Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7288DP-T1-GE3

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818-1390
Référence fabricant:
SI7288DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

5.99mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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