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Vishay Si7850DP N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7850DP-T1-E3

N° de stock RS:: 919-0830
Référence fabricant:: SI7850DP-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si7850DP N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7850DP-T1-E3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 919-0830
Référence fabricant:: SI7850DP-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	Si7850DP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.89mm
	Length	4.9mm
	Height	1.04mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series Si7850DP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.89mm
	Length 4.9mm
	Height 1.04mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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