Références fabricant

Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 180-7298
Référence fabricant:: SI4900DY-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 197,50 €

(TVA exclue)

1 450,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,479 €	1 197,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 180-7298
Référence fabricant:: SI4900DY-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.058Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.1W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.35mm
	Length	4.8mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.058Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.1W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.35mm
	Length 4.8mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet

The Vishay Siliconix SI4900DY series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 60 V. It is used in LCD TV and CCFL inverter.

Pb-free

Halogen free

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