Vishay Si7850DP Type N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7850DP-T1-E3
- N° de stock RS:
- 710-4764
- Référence fabricant:
- SI7850DP-T1-E3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
13,56 €
(TVA exclue)
16,41 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 535 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,712 € | 13,56 € |
| 50 - 120 | 2,304 € | 11,52 € |
| 125 - 245 | 2,006 € | 10,03 € |
| 250 - 495 | 1,654 € | 8,27 € |
| 500 + | 1,306 € | 6,53 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 710-4764
- Référence fabricant:
- SI7850DP-T1-E3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | Si7850DP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 4.9mm | |
| Height | 1.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series Si7850DP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 4.9mm | ||
Height 1.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay Si7850DP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4900DY-T1-E3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4896DY-T1-E3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SO-8 SI4559ADY-T1-E3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7465DP-T1-E3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7898DP-T1-E3