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STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120

N° de stock RS:: 907-4741
Référence fabricant:: SCT30N120
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120

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N° de stock RS:: 907-4741
Référence fabricant:: SCT30N120
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	3.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-10V, +25V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	105nC
	Maximum Power Dissipation Pd	270W
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Height	20.15mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.15mm
	Length	15.75mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type Hip-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 3.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -10V, +25V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC
	Maximum Power Dissipation Pd 270W
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Height 20.15mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.15mm
	Length 15.75mm
	Automotive Standard No

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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