Références fabricant

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

N° de stock RS:: 168-8966
Référence fabricant:: SCT30N120
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

517,50 €

(TVA exclue)

626,10 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Dernier stock RS

270 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le tube*
30 +	17,25 €	517,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 168-8966
Référence fabricant:: SCT30N120
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	270W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	105nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-10V, +25V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	3.5V
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Length	15.75mm
	Height	20.15mm
	Width	5.15mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type Hip-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 270W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -10V, +25V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 3.5V
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Length 15.75mm
	Height 20.15mm
	Width 5.15mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.