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STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW60N120G2

N° de stock RS:: 239-5529
Référence fabricant:: SCTW60N120G2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW60N120G2

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

702,48 €

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30 +	23,416 €	702,48 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 239-5529
Référence fabricant:: SCTW60N120G2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Package Type	Hip-247
	Series	SCT
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	73mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	94nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	18V
	Maximum Power Dissipation Pd	389W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	3V
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Width	15.6mm
	Standards/Approvals	UL
	Height	5mm
	Length	34.8mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Package Type Hip-247
	Series SCT
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 73mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 18V
	Maximum Power Dissipation Pd 389W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 3V
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Width 15.6mm
	Standards/Approvals UL
	Height 5mm
	Length 34.8mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SCTW60N120G2

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Very high operating junction temperature capability

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