Références fabricant

STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V, 3-Pin Hip-247

N° de stock RS:: 212-2093
Référence fabricant:: SCTWA40N120G2V-4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V, 3-Pin Hip-247

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 212-2093
Référence fabricant:: SCTWA40N120G2V-4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	Hip-247
	Series	SCTWA40N120G2V-4
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	61nC
	Forward Voltage Vf	3.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	277W
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Standards/Approvals	No
	Height	5.1mm
	Length	15.9mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type Hip-247
	Series SCTWA40N120G2V-4
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC
	Forward Voltage Vf 3.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 277W
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Standards/Approvals No
	Height 5.1mm
	Length 15.9mm
	Automotive Standard No

DataSheet - SCTWA40N120G2V-4

SiC MOSFET

The STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET with a trench field-stop (TFS) IGBT of the same voltage rating and equivalent on-state resistance. The STPOWER SiC MOSFET exhibits significantly reduced switching losses, even at high temperatures. This enables designer to operate at very high switching frequencies, reducing the size of passive components for smaller form factors.

Very low switching losses

Low power losses at high temperatures

Higher operating temperature (up to 200 ˚C)

Body diode with no recovery losses

Easy to drive

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