Références fabricant

STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Channel MOSFET, 45 A, 1.2 kV, 3-Pin Hip-247

N° de stock RS:: 212-2093
Référence fabricant:: SCTWA40N120G2V-4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Channel MOSFET, 45 A, 1.2 kV, 3-Pin Hip-247

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 212-2093
Référence fabricant:: SCTWA40N120G2V-4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Series	SCTWA40N120G2V-4
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	61nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	277W
	Forward Voltage Vf	3.3V
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Height	5.1mm
	Length	15.9mm
	Standards/Approvals	No
	Width	21.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Series SCTWA40N120G2V-4
	Package Type Hip-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 277W
	Forward Voltage Vf 3.3V
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Height 5.1mm
	Length 15.9mm
	Standards/Approvals No
	Width 21.1mm
	Automotive Standard No

DataSheet - SCTWA40N120G2V-4

SiC MOSFET

The STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET with a trench field-stop (TFS) IGBT of the same voltage rating and equivalent on-state resistance. The STPOWER SiC MOSFET exhibits significantly reduced switching losses, even at high temperatures. This enables designer to operate at very high switching frequencies, reducing the size of passive components for smaller form factors.

Very low switching losses

Low power losses at high temperatures

Higher operating temperature (up to 200 ˚C)

Body diode with no recovery losses

Easy to drive

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.