Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD025N06NATMA1

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906-4485
Référence fabricant:
IPD025N06NATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

71nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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