Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB28N60EF-GE3
- N° de stock RS:
- 903-4504
- Référence fabricant:
- SiHB28N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
12,32 €
(TVA exclue)
14,90 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 642 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,16 € | 12,32 € |
| 20 - 48 | 5,79 € | 11,58 € |
| 50 - 98 | 5,545 € | 11,09 € |
| 100 - 198 | 4,93 € | 9,86 € |
| 200 + | 4,615 € | 9,23 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 903-4504
- Référence fabricant:
- SiHB28N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | EF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 123mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series EF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 123mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current
Low figure-of-merit (FOM)
Low input capacitance (Ciss)
Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge
Ultra low gate charge (Qg)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay EF Series N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB28N60EF-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SiHB186N60EF-GE3
- Vishay EF Series N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB155N60EF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 600 V D2PAK SIHB15N60E-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-247AC SiHG186N60EF-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 SiHA186N60EF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHFBC30AS-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB22N60EF-GE3
