Références fabricant

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 177-7628
Référence fabricant:: SIHB28N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Sous-total (1 sachet de 1000 unités)*

1 958,00 €

(TVA exclue)

2 369,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	Le Sachet*
1000 +	1,958 €	1 958,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 177-7628
Référence fabricant:: SIHB28N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	EF
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	123mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Width	9.65 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series EF
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 123mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Width 9.65 mm
	Automotive Standard No

SiHB28N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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