Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRLL024NTRPBF
- N° de stock RS:
- 830-3300
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-44-473
- Référence fabricant:
- IRLL024NTRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
13,68 €
(TVA exclue)
16,56 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
- 180 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 1 340 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 septembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,684 € | 13,68 € |
| 100 - 180 | 0,471 € | 9,42 € |
| 200 - 480 | 0,444 € | 8,88 € |
| 500 - 980 | 0,409 € | 8,18 € |
| 1000 + | 0,383 € | 7,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 830-3300
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-44-473
- Référence fabricant:
- IRLL024NTRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.7mm | |
| Width | 3.7mm | |
| Height | 1.739mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.7mm | ||
Width 3.7mm | ||
Height 1.739mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRLL2705TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRLL014NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL4105TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL024ZTRPBF
