Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL024ZTRPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

14,175 €

(TVA exclue)

17,15 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 250 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 1000,567 €14,18 €
125 - 2250,539 €13,48 €
250 - 6000,516 €12,90 €
625 - 12250,34 €8,50 €
1250 +0,27 €6,75 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
262-6766
Référence fabricant:
IRFL024ZTRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-223

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Liens connexes