Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL4105TRPBF

Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
Options de conditionnement :
N° de stock RS:
827-3994
Numéro d'article Distrelec:
304-44-458
Référence fabricant:
IRFL4105TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-223

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.7mm

Height

1.8mm

Width

3.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon


Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.