Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD036N04LGBTMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
Options de conditionnement :
N° de stock RS:
825-9364
Référence fabricant:
IPD036N04LGBTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

59 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Pays d'origine :
MY

Liens connexes